MJD340T4G دیتاشیت

MJD340T4G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD340T4G
حجم فایل 82.739 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت MJD340T4G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD340RLG
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • Transition Frequency (fT): 10MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 30@50mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 300V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@100mA,10mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi